AMB陶瓷基板的性能及其应用

2023-11-05
随着功率器件特别是第三代半导体的崛起与应用,半导体器件逐渐向大功率、小型化、集成化和多功能等方向发展,对封装基板性能也提出了更高要求。陶瓷基板,或称陶瓷电路板,具有热导率高、耐热性好、热膨胀系数低、机械强度高、绝缘性好、耐腐蚀和抗辐射等特点,在电子器件封装中得到广泛应用。

陶瓷基板工艺有很多种,除了DPC、DBC、HTCC、LTCC之外,还有目前备受关注的AMB(Active Metal Bonding)技术,即活性金属钎焊技术。

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     什么是活性金属钎焊技术?


AMB技术是指,在800℃左右的高温下,含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金属的界面润湿并反应,从而实现陶瓷与金属异质键合的一种工艺技术。AMB陶瓷基板,一般是这样制作的:首先通过丝网印刷法在陶瓷板材的表面涂覆上活性金属焊料,再与无氧铜层装夹,在真空钎焊炉中进行高温焊接,然后刻蚀出图形制作电路,最后再对表面图形进行化学镀。



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    AMB陶瓷基板的技术特点


AMB技术是在DBC(Direct Bonding Copper,直接覆铜法)技术的基础上发展而来的。相比于传统的DBC基板,采用AMB工艺制备的陶瓷基板,不仅具有更高的热导率、更好的铜层结合力,而且还有热阻更小、可靠性更高等优势。

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    AMB陶瓷基板按材质分类


根据陶瓷材质的不同,目前成熟应用的AMB陶瓷基板可分为:氧化铝、氮化铝和氮化硅基板。

表1   三种陶瓷材料的物理性能
指标名称

单位

Al2O3

AlN

Si3N4

密度

g/cm3

3.7

3.3

3.22

热导率
W/(m.K)
>20
>170

>80

热膨胀系数

ppm/℃

20~300℃

6.9

4.7

2.5

抗弯强度

MPa

>350

>350

>700

介电常数

@1MHz

9.8

9.0

8.0

介电损耗

@1MHz

<0.0002

<0.0005

<0.001

击穿强度

kV/mm

>15

>20

>20

体积电阻

Ω.cm

>1014

>1014

>1014

弹性模量

GPa

330

320

320


3.1 AMB氧化铝基板

相对地,氧化铝板材来源广泛、成本最低,是性价比最高的AMB陶瓷基板,工艺最为成熟。但由于氧化铝陶瓷的热导率低、散热能力有限,AMB氧化铝基板多用于功率密度不高且对可靠性没有严格要求的领域。

3.2 AMB氮化铝基板

氮化铝AMB基板具有较高的散热能力,从而更适用于一些高功率、大电流的工作环境。但是由于机械强度相对较低,氮化铝AMB覆铜基板的高低温循环冲击寿命有限,从而限制了其应用范围。

3.3 AMB氮化硅基板

氮化硅陶瓷,具有 α-Si3N4和β-Si3N4两种晶型,其中α 相为非稳定相,在高温下易转化为稳定的 β 相。高导热氮化硅陶瓷内 β 相的含量一般大于40%。凭借氮化硅陶瓷的优异特性,AMB氮化硅基板有着优异的耐高温性能、抗腐蚀性和抗氧化性。


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3.3.1 AMB氮化硅基板具有高热导率。

一方面,AMB氮化硅基板具有较高的热导率(>90W/mK),厚铜层(达800µm)还具有较高热容量以及传热性。因此,对于对高可靠性、散热以及局部放电有要求的汽车、风力涡轮机、牵引系统和高压直流传动装置等来说,AMB氮化硅基板可谓其首选的基板材料。

另一方面,活性金属钎焊技术,可将非常厚的铜金属(厚度可达0.8mm)焊接到相对较薄的氮化硅陶瓷上。因此,载流能力较高,而且传热性也非常好。客户可自定义产品布局,这一点类似于PCB电路板。


3.3.2 AMB氮化硅基板具有低热膨胀系数。

氮化硅陶瓷的热膨胀系数(2.4 ppm/K)较小,与硅芯片(4 ppm/K)接近,具有良好的热匹配性。因此,AMB氮化硅基板,非常适用于裸芯片的可靠封装,封装后的组件不容易在产品的生命周期中失效。



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AMB陶瓷基板的可靠性分析


在设计新的电源模块时,根据封装方式的要求,模块工程师需要选择合适的基板材料,并对基板的电气、热性能、机械性能和可靠性进行综合考量。研究表明,功率器件失效的绝大部分原因与热量没有及时散出有关,陶瓷基板的热学性能对于功率器件的可靠性十分关键。AMB基板的可靠性很大程度上取决于活性钎料成分、钎焊工艺、钎焊层组织结构等诸多关键因素。

4.1 影响AMB陶瓷基板可靠性指标的制程因素和测试因素

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4.2 影响AMB陶瓷基板机械应力和热冲击分析方面分析

机械应力分析:
  1. 陶瓷属于脆性材料,在应力条件下易产生疲劳断裂
  2. 由于铜和陶瓷的CTE不匹配产生的内应力
  3. 内应力主要集中在铜的边缘与陶瓷连接处
  4. 圆角比尖角更容易产生裂纹
  5. dimple可起到热应力缓解作用,可以10x提升基板的可靠性
热冲击测试基本信息:
  1. 注意温差和转换时间
  2. -55°C~150°C,热冲击
  3. 一般来说,热冲击比热循环测试更严苛;
  4. 一般来说,液体测试比气体测试更严苛



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AMB陶瓷基板的应用


与DBC陶瓷基板相比,AMB陶瓷基板具有更高的结合强度和冷热循环特性。目前,随着电力电子技术的高速发展,高铁上的大功率器件控制模块对IGBT模块封装的关键材料——陶瓷覆铜板形成巨大需求,尤其是AMB基板逐渐成为主流应用。

日本京瓷采用活性金属焊接工艺制备出了氮化硅陶瓷覆铜基板,其耐温度循环(-40~125 ℃)达到5 000 次,可承载大于300 A 的电流,已用于电动汽车、航空航天等领域。特别是,该产品采用活性金属焊接工艺将多层无氧铜与氮化硅陶瓷键合,同时采用铜柱焊接实现垂直互联,对IGBT 模块小型化、高可靠性等要求有较好的促进作用。

另外,在风能、太阳能、热泵、水电、生物质能、绿色建筑、新能源装备、电动汽车、轨道交通等重要领域,AMB基板也开始得到越来越多的应用。





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